Inicio A Portada Módulo DDR5 de 512 GB con estructura de TSV de ocho capas

Módulo DDR5 de 512 GB con estructura de TSV de ocho capas

1783
0

Con un material HKMG, este nuevo módulo DDR5 de 512 GB con estructura de TSV de ocho capas resulta ideal en aplicaciones informáticas avanzadas con elevado ancho de banda.

Samsung Electronics, fabricante de tecnología de memoria avanzada, anuncia la ampliación de su oferta de memoria DRAM DDR5 con el primer módulo DDR5 de 512 GB basado en tecnología de proceso High-K Metal Gate (HKMG).

Proporcionando más del doble de rendimiento de DDR4 a 7200 Mbps, el nuevo DDR5 satisface las necesidades de aplicaciones con elevado ancho de banda, incluyendo supercomputación, inteligencia artificial (IA) y aprendizaje automático (ML), así como análisis de datos.

Samsung es el único fabricante de semiconductores con capacidades de lógica y memoria que posee la experiencia suficiente de incorporar tecnología vanguardista en el desarrollo de productos de memoria”; afirma Young-Soo Sohn, Vicepresidente del DRAM Memory Planning/Enabling Group de Samsung Electronics. “Al incorporar este tipo de proceso innovador en la producción DRAM, podemos ofrecer a los clientes soluciones de alto rendimiento y elevada eficiencia en sanidad, finanzas, conducción autónoma, ciudades inteligentes, entre otros”.

Tecnología de última generación

El módulo DDR5 de 512 GB de Samsung utiliza tecnología HKMG que se emplea, tradicionalmente, en semiconductores lógicos. Con la disminución constante del tamaño de las estructuras DRAM, la capa de aislamiento pierde grosor, provocando una corriente de fuga superior. Al sustituir el aislante por material HKMG, Samsung podrá disminuir la fuga y alcanzar nuevos valores de rendimiento. La nueva memoria consumirá un 13 por ciento menos de energía, algo esencial en centros de datos.

El proceso HKMG se adoptó por primera vez en la memoria GDDR6 de Samsung en 2018. Al extender su uso en DDR5, el fabricante sigue consolidando su liderazgo en tecnología DRAM.

Aprovechando la tecnología through-silicon via (TSV), el módulo DDR5 apila ocho capas de chips DRAM de 16 Gb para suministrar una capacidad de 512 GB. TSV se utilizó por primera vez en memorias DRAM en 2014, cuando Samsung introdujo sus módulos de servidor con capacidades de hasta 256 GB.

Módulo DDR5 de 512 GB con estructura de TSV de ocho capas

Samsung ya está suministrando muestras de diferentes versiones de su familia de memoria DDR5 para la verificación y la certificación con los productos de los clientes y así acelerar la llegada de nuevas soluciones de IA/ML, computación a exaescala, analítica, networking y otras cargas de datos intensivos.

Finalmente, más información en https://www.samsung.com/semiconductor/dram/ddr5/

Dejar una respuesta

Please enter your comment!
Please enter your name here

Este sitio usa Akismet para reducir el spam. Aprende cómo se procesan los datos de tus comentarios.