La memoria MRAM UNISYST de alta densidad para sistemas embebidos unifica almacenamiento de código y datos con arquitectura no volátil, interfaz xSPI hasta octal SPI a 200 MHz y hojas de ruta de 128 Mb a 2 Gb.
El nuevo UNISYST MRAM de Everspin Technologies es una familia de memoria MRAM (magnetoresistive random access memory, memoria de acceso aleatorio magnetorresistiva) unificada para sistemas embebidos que integra código y datos en un único dispositivo no volátil.
La propuesta está orientada a sustituir y ampliar casos de uso tradicionales de NOR flash cuando se requiere mayor rendimiento, resistencia a escritura y comportamiento predecible.
Según la información del fabricante, UNISYST se plantea como extensión natural de la plataforma PERSYST MRAM para facilitar una migración sin cambios de arquitectura del sistema ni del software.
La familia se anunciará inicialmente con densidades previstas entre 128 megabits y 2 gigabits para cubrir desde almacenamiento de firmware hasta activos de mayor tamaño en equipos de campo.
Interfaz xSPI y ancho de banda en UNISYST MRAM
UNISYST integra una interfaz estándar xSPI para memorias serie y está prevista para operar hasta octal SPI a 200 MHz.
Con esa conectividad, el fabricante indica un ancho de banda de lectura de hasta 400 MB/s y una escritura aproximada de 90 MB/s en un dispositivo no volátil.
El objetivo es habilitar arranque rápido, actualizaciones ágiles y un rendimiento sostenido sin las limitaciones de latencia y cuellos de botella asociados a diseños basados en flash.
En entornos de desarrollo y despliegue, la ganancia de velocidad se orienta a acelerar la iteración de firmware y la actualización de modelos de IA embebida de decenas o cientos de megabytes.
Fiabilidad, retención de datos y sectores objetivo
En aplicaciones críticas, la familia está planificada con calificación AEC-Q100 Grade 1 para cumplir requisitos de electrónica en automoción a altas temperaturas.
Además, se especifica una retención mínima de datos de 10 años a temperatura extrema para preservar la integridad del almacenamiento a lo largo del ciclo de vida.
UNISYST se dirige a edge AI, industrial, aeroespacial y defensa, donde se valora la no volatilidad junto con escrituras frecuentes y consistentes.
También se menciona su uso en configuración y almacenamiento de código para FPGA (field-programmable gate array, matriz de puertas programable en campo) en plataformas con actualizaciones OTA (over-the-air, actualizaciones inalámbricas).
Las muestras de ingeniería están previstas para el cuarto trimestre de 2026, con nuevas densidades y opciones adicionales en fases posteriores.
Si te interesan este tipo de productos, en nuestro monográfico Especial almacenamiento puedes encontrar información con todas las posibilidades actuales en el mercado.
Para más información o precios sobre el nuevo memoria MRAM UNISYST de alta densidad para sistemas embebidos, puedes dejarnos un sencillo COMENTARIO. O también puedes utilizar nuestro SERVICIO AL LECTOR gratuito, que te pondrá en contacto con el fabricante o distribuidor de este producto.
#UNISYSTMRAM, #EverspinTechnologies, #MRAM, #SistemasEmbebidos, #EdgeAI, #xSPI, #OctalSPI, #AECQ100
