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Tecnología de almacenamiento Smart Read Refresh

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Nuevo White Paper sobre la tecnología Smart Read Refresh y sus ventajes ante el almacenamiento industrial.

Debido al modo de construir una memoria Flash NAND, siempre existe una pequeña posibilidad de que se produzcan errores binarios durante las operaciones de lectura.

Tecnología de almacenamiento Smart Read Refresh

También se les conoce como “errores de lectura – read disturbs” y son más o menos habituales en función de la arquitectura de la memoria Flash NAND empleada.

En la mayoría de operaciones de control, la tecnología ECC puede impedir los errores de datos, pero en determinados casos, resulta insuficiente, especialmente en operaciones de lectura intensiva.

Por estas razones, Apacer desarrolló un mecanismo conocido como Smart Read Refresh, que es particularmente útil a la hora de reducir los errores binarios en dichas operaciones de lectura intensiva. De hecho, esta alternativa es beneficiosa incluso para dirigir operaciones que no sólo son de “lectura intensiva”.

Si está interesado en conocer todas las posibilidades de esta impresionante tecnología, descargue y lea el White Paper que el fabricante ha preparado, en español, para darla a conocer.

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